[上进联考]四川省20242025学年上学期12月学情检测高一化学答案
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22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。
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A.反应②生成的水全部循环利用,为使该过程持续发生,反应①需要不断补充水
B.反应①产生的氢气和氧气质量比为 2:1
C.反应①②的催化剂反应完毕后质量变小
D.反应①的能量转化形式中存在化学能转化为太阳能
8.如图是在常温密闭容器中某化学反应的微观示意图,图中“ ”表示汞原子,“ ”表示氧原子。以下
说法正确的是
A.该反应是置换反应 B.消耗的要 和生成的 的个数比是 2:1
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