[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2英语答案
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4、[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2英语试题
5、[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2语文试题
22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。
3、[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2生物答案
2、[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2物理答案
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4、[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2生物学试题
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②根据 E中出现白色沉淀的速率比 D中快很多的现象,推测其原因可能是 。
(用文字表述)
19. (15分)
(1)下列变化属于放热反应的是 (填序号)。
a.氢氧化钠固体溶于水 b.氢气与氯气化合
c.氯化铵固体与氢氧化钡晶体混合搅拌 d.碳酸氢钠与盐酸的反应
e.硝酸铵与水合碳酸钠混合 f.锌与硫酸铜溶液反应
3、[石室金匮]2025届高考专家联测卷(二)2数学答案
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